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产品详情
简单介绍:
上海图一BLV7002是一款N沟增强型,高速开关MOSFET,无二次击穿.BLV7002主要应用于电话机电路,继电器电路,驱动电路等.其漏源电压Vd*大为60V,栅源电压Vg极限值为±20V.
详情介绍:
BLV7002产品特性:
** 漏源电压Vd*大为60V,
** 栅源电压Vg极限值为±20V
** 漏电流Id为115mA
** 结温度和存储温度为:-55℃-- +150℃
** BLV108封装方式:SOT23