Amd Am29LV640
The AMD LV Series has 1 Million write/erase cycles endurance. This is an ordinary memory for code storage (addr/data lines). TSOP-48 or TSOP-56 pinning.
| Hersteller | AMD | |
| Produkt | Am29LV640D, Am29LV641D | |
| Technologie | NOR; 0.23 micron CMOS; | |
| Spannung/Strom | 3 - 3.6V / 9 mA typ. beim Lesen, 20-30 mA Loeschen/Programmiern, 5 uA Standby | |
| Bus | parallel | |
| Kapazität | 16 M | |
| Interface | Px16 | |
| Read Latency | ||
| Sequentielles Lesen | 90 nsec | |
| Burst Write | ||
| Sustained Write | 11 usec/Word; 48 sec / Chip | |
| Blockgrösse | 128 x 32 KWorte Sektoren | |
| E/P Cycles | 1000.000 (Minimum) | |
| Erase Performance | 0.9 sec / Sektor; 115 sec / Chip; | |
| Gehäuse | TSOP-48, SSOP-56, Fine-Pitch BGA-63, Fortified BGA-64 | |
| Sonstige Eigenschaften |
Verwendung 1999 bis jetzt; Uniform-sector mit VersatileIO Control; CFI-kompatibel; "SecSi" (Secured Silicon) Sector Region; fuer diesen Baustein gibt es einen Ersatz mit MirrorBit Technologie, den Am29LV640MU. Die MirrorBit Technologie erlaubt eine groessere Dichte durch die Speicherung von 2 Bit pro Zelle. Ausserdem werden auch andere gewoehnlichen Flash-Bausteine durch die aequivalenten MirrorBit Baustein ersetzt (Am29LV160M, Am29LV320M, Am29LV640M, Am29LV128M, Am29LV256M). Achtung: Eine aehnliche Technologie von Intel nennt sich StrataFlash. MirrorBit und StrataFlash Bausteine sind nicht pinkompatibel. Die Sektorgroesse bei MirrorBit ist 64 KByte, die bei StrataFlash hingegen 128 KByte. MirrorFlash soll Anfang 2003 in grossen Stueckzahlen verfuegbar sein bei Kapazitaeten von 16 bis 256 MBit (evtl. bis 1 GBit). |
